56 числа，IBM объявила о создании первого в мире 2-нм полупроводникового чипа。IBM сказал，при одинаковом энергопотреблении，2Производительность на 45% выше, чем у современных 7-нм чипов EUV，Выведите ту же производительность и снизьте энергопотребление на 75 %.。
Основные показатели，IBM утверждает, что плотность транзисторов (MTr/мм2) 2-нанометрового чипа，Сколько миллионов транзисторов на квадратный миллиметр) составляет 333,33.，Почти в два раза больше, чем у 5-нм TSMC，Это также выше, чем предполагаемые 292,21 МТр/мм2 3-нанометрового техпроцесса TSMC.。
Другими словами，На площади 150 квадратных миллиметров, что соответствует размеру ногтя.，Может вместить 50 миллиардов транзисторов。в то же время，IBM сказал，при одинаковом энергопотреблении，Его производительность на 45% выше, чем у нынешних 7 нм.，Выведите ту же производительность и снизьте энергопотребление на 75 %.。
фактически，IBM также была первым производителем, создавшим 7-нм (2015 г.) и 5-нм (2017 г.) чипы.，Лидировать в определении таких показателей, как напряжение очень рано。
Вернуться к этому 2nm，Использование технологии GAA (транзистор вокруг затвора)，три этажа。Введение IBM，Это первый случай использования нижнего диэлектрически изолированного канала.，Он может достигать длины затвора 12 нм.，Его внутреннее отделение представляет собой сухую конструкцию второго поколения.，Способствует развитию нанолистов。Это также первый случай использования EUV для демонстрации части процесса FEOL.。
должен быть в курсе，У IBM нет своего завода，2014его производственный завод был продан GlobalFoundries.，Но они подписали 10-летнее соглашение о сотрудничестве.，кроме того，IBM и Самсунг、Intel продолжает сотрудничество。
О транзисторной технологии GAA，Самсунг 3нм、И Intel 5nm, и TSMC 2nm будут приняты впервые。
источник：IBM