一、前言：首發天璣1200！性價比旗艦新王誕生
去年，聯發科推出了旗艦級的天璣1000+，不僅有著實惠的價格，更憑藉躋身第一梯隊的性能，獨有的雙卡雙5G待機，以及完善的5G頻段支持等特性，毫無懸念地拿下了去年最具性價比旗艦SOC的寶座。
因此，許多人都在期待，聯發科在新的一年又會交出怎樣的答卷。天璣1200，作為聯發科的2021開年旗艦登場，不僅攜台積電6nm工藝而來，更是三叢集架構在聯發科的回歸。
在這個時間點，基於先進工藝的幾款旗艦表現都低於預期，驍龍888頻頻被指“翻車”，麒麟9000後繼無人，這次聯發科也獲得了各方面追趕頂級SOC的最佳機會。
3月31日，隨著realme GT Neo的公佈，天璣1200也在全球首度亮相。我們終於能夠一窺這顆旗艦SOC的性能如何。
當然，除了首發天璣1200外，realme GT Neo也有諸多亮點，譬如支持50W快充、後置6400W三攝，擁有120Hz AMOLED直屏，支持NFC，擁有179g輕薄機身和3.5mm音頻接口等。
最關鍵的是，在這些配置之上，realme GT Neo的12+256版本只需2299CNY即可入手，正如其宣傳的旗艦破門員一樣，它絕對具有成為新一代最具性價比旗艦的潛質。
接下來，就讓我們來好好體驗下realme GT Neo，來看看天璣1200究竟提升如何，旗艦破門員是否名副其實。
二、外觀：AMOLED直屏+3.5mm接口都有！潮流背部設計
realme GT Neo採用了左上角挖孔直屏的設計，屏幕材質為三星Super AMOLED，擁有最高120Hz的刷新率和360Hz的觸控採樣率。左上角挖孔，內含一顆2200萬像素的廣角人像鏡頭，用於自拍有著不錯的效果。頂部麥克風和揚聲器二合一，可以用最少的空間，實現雙揚聲器的影音效果。
背面的設計格外吸睛，在材質上，realme GT Neo做出了磨砂塑料的設計，撞色帶則採用了PC注塑和貼膜工藝，二者相配合，使得realme GT Neo的後背擁有性價比旗艦中數一數二的美感。
realme GT Neo後置三攝，主攝為索尼IMX 682，擁有6400萬像素，成像解析力十足。副攝則分別為一顆1200萬廣角和200萬像素微距，提供額外場景下的拍照玩法。
接口方面，兩側是電源鍵+音量鍵的老樣子。頂部和底部，除了揚聲器開孔、Type-C接口、麥克風開孔外，值得注意的是realme GT Neo保留了3.5mm音頻接口，無需轉換器接口即可使用。
realme GT Neo最高支持50W閃充，不過贈送的是65W超級閃充的充電器，這一點值得好評，可以兼容不少同系列手機等設備。
三、天璣1200：聯發科6nm加持重回三叢集架構
和天璣1000及天璣1000+相比，聯發科在2021年推出的天璣1200主要有兩點改變。一是採用了最新的台積電6nm工藝，保證產能的同時確保能耗比有所提升；二是重返三叢集架構，可以進一步增強對於不同負載的適應性。
——首發台積電6nm工藝
雖然今年許多主流芯片都來到了5nm工藝，但是台積電5nm供貨緊缺，以及三星5nm表現不佳，這兩個問題都使的5nm工藝變成了並不現實的選擇。
所以在今年，聯發科稍有折中，在天璣1200採用了最新的台積電6nm EUV工藝，保證了產能足夠的同時，在能效比上也有一定提升。
根據台積電的數據顯示，在相同的性能條件下，6nm EUV工藝在功耗上可以比7nm降低8%，而晶體管密度相較於7nm工藝提升了18%，性能也會有著類似的提升。
雖然相較於台積電已經量產的5nm EUV在性能和功耗上略遜一籌，但是差距不大，在成本上更具優勢，並且不用擔心產量問題。
——重回三叢集架構
早在去年，無論是驍龍865、還是麒麟990就開始採用全新的三叢集架構，即一超大核+大核+小核的模式，來應對不同負載程度的任務。
而其實早在2016年，聯發科就推出了Helio X20十核心SOC移動處理器，並且就首次嘗試了三叢集架構。不過當時來看，由於這樣的設計過於超前，結果導致超大核往往派不上用場，而整個核心的發熱也居高不下。
不過如今，有著更先進的製程和更優秀的AI調度，三叢集架構又重新登上了舞台。天璣1200採用的是1顆高頻率A78大核+3顆中頻率A78中核+4顆A55小核的三叢集設計，總體配置類似上一代的驍龍865，但是引入了新的A88架構，所以性能上我們可以期待它比肩甚至超越去年的驍龍865。
除了三叢集架構和6nm兩大亮點外，天璣1200的APU也大幅提升，搭配更強大拍照性能，天璣1200最高可以實現2億像素拍照，，並且利用算法優化，在降噪、曝光、物體追踪等方面均有提升。可以說，這次的拍照，將不再是天璣1200的短板。視頻方面，它支持AV1編碼以及先進的逐幀4K HDR技術。
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