5ວັນທີ 6 ມີນາ，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。IBM ກ່າວ，ພາຍໃຕ້ການບໍລິໂພກພະລັງງານດຽວກັນ，245% ປະສິດທິພາບສູງກວ່າຊິບ 7nm EUV ໃນປັດຈຸບັນ，ຜົນຜະລິດທີ່ດຽວກັນແລະການຫຼຸດຜ່ອນການນໍາໃຊ້ພະລັງງານ 75%。
核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。
換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。ໃນເວລາດຽວກັນ，IBM ກ່າວ，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。
ຕົວຈິງແລ້ວ，IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）芯片的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。
回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極晶體管）技術，三層。IBM介紹，這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實現12 nm的柵長，其內部間隔是第二代干法設計，有助於納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。
ຕ້ອງຮູ້ຈັກແມ່ນ，IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協議，ເພີ່ມເຕີມ，IBM也和三星、Intel保持合作。
關於GAA晶體管技術，三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。
ແຫຼ່ງ：IBM