56위，IBM은 세계 최초의 2nm 반도체 칩 생성을 발표했습니다.。IBM은 말한다，동일한 소비 전력에서，2nm EUV 칩 성능은 현재 7nm보다 45% 더 높습니다.，동일한 성능 출력 및 소비전력 75% 절감。
핵심 지표，IBM은 2NM 칩의 트랜지스터 밀도를 주장합니다 (MTR/MM2，제곱 밀리미터 당 수백만 개의 트랜지스터 수)는 333.33입니다，TSMC의 5nm보다 거의 두 배입니다，또한 TSMC 3NM 프로세스 292.21 MTR/MM2보다 높습니다.。
다시 말해서，150 평방 밀리미터 내에 손톱 크기，500 억 트랜지스터를 수용 할 수 있습니다。동시에，IBM은 말한다，동일한 전력 소비하에，성능은 현재 7nm보다 45% 높습니다，출력 성능은 전력 소비를 75% 감소시킵니다.。
실제로，IBM은 7NM (2015) 및 5NM (2017) 칩을 건설 한 최초의 제조업체였습니다.，전압 및 기타 지표의 결정은 오랫동안 전력의 지배력을 취하기 위해 취해졌습니다.。
이 2nm으로 돌아갑니다，GAA (서라운드 게이트 트랜지스터) 기술이 사용됩니다，세 층。IBM 소개，하단 유전체 분리 채널이 처음으로 사용되는 것은 이번이 처음입니다.，12nm의 게이트 길이를 달성 할 수 있습니다，내부 간격은 2 세대 건식 방법 설계입니다.，나노 시트 개발에 도움이됩니다。또한 FEOL의 일부를 노출시키기 위해 EUV를 사용하는 것은 이번이 처음입니다.。
인지해야 하는 것은，IBM에는 자체 웨이퍼 팹이 없습니다，20142019 년에 제조 공장은 GS에 판매되었습니다，그러나 두 사람은 10 년간의 협력 협정에 서명했다，게다가，IBM과 삼성、인텔은 협력을 유지합니다。
GAA 트랜지스터 기술에 대해，삼성 3nm、인텔 5NM 및 TSMC 2NM은 처음으로 사용됩니다.。
원천：IBM