三つ、小米11 Ultra性能跑分：閉著眼都知道安卓陣營極限組合
小米11 Ultra與小米11在性能方面、的方案基本一致，都是採用了驍龍888+滿血版LPDDR5+UFS 3.1的安卓陣營頂級堆料，只是在散熱方案上做了升級。最初，我們來跑個分。
——跑分：驍龍888採用三星5nm工藝製造，CPUに関してはまだ8つのコアがあります，全球首發ARM的第一個超級大核架構Cortex-X1主頻是傳統的2.84GHz，A78アーキテクチャの3つのパフォーマンスレベルコアもあります，主な周波数は2.40GHzです，4つのA55アーキテクチャのエネルギー効率コア，主な周波数は1.80GHzです。
根據此前收錄的成績，Snapdragon 865モデルは、単一のコア918に到達できます、マルチコア3386，小米11Ultra所搭載的驍龍888比之分別提高大約23％、8％，符合正常驍龍888機型的表現。
この世代のSnapdragon 888はAdrenoを統合します 660 GPU，gfxbenchテスト，小米11 Ultra所搭載的驍龍888在曼哈頓3.0 1080p離屏分數達到了162FPS；阿茲特克廢墟Vulkan 1080p/常規離屏分數為81FPS甚至超過了A13。
上記の2つのテストサブアイテムのスコアのスコアは、Snapdragon 865のスコアよりも33％以上高くなっています。、50％，屬於驍龍888機型的正常表現。
- フラッシュメモリテスト
小米11 Ultra的閃存測試結果相當誇張，連續讀寫速度分別飆到了1819.22MB/s和746.47MB/s，相較於常規的UFS 3.0閃存，提升了約30%左右。
言及する価値があります，小米11 Ultra採用了全新的“滿血版”LPDDR5內存，主な周波数は3200MHzに増加します，數據傳輸速率從5500Mbps提升到6400Mbps，是上一代的116%。內存每快一點，整機流暢度都會快不少。これは、携帯電話のメモリの指定が最も高いです，LPDDR5フラッシュの組み合わせが高いメイン周波数UFS 3.1高速フラッシュと，確實是驍龍888平台的絕配。
——關於5G。キンギョソウ 888(集成驍龍X60)是一個真正的全球5G移動平台，可以支持世界各個國家和地區、各家運營商的移動網絡方案。甚至首個支持第三代毫米波、6GHz以下頻段和載波聚合，首個支持FDD、TDD 5G載波聚合，サポートvonr。
言及する価値があります，得益於驍龍888的加持，小米11 Ultra不僅支持NSA+SA雙模5G，同時也支持5G+5G雙卡駐網。
四、小米11 Ultra遊戲性能、散熱測試：《原神》10分鐘虐機
當年風靡的“吃雞”手游簡單捅破過所謂“旗艦”的那層窗戶紙，騰訊為了照顧它們硬是創造了滿幀僅有40幀的標準。
只是後續隨著遊戲玩家“性能從不過剩”的意識覺醒，手機硬件性能陸續跟上，到今天《和平精英》即便開放了60幀甚至90幀滿幀的標準選項，大部分旗艦機型也都能勝任，所以如此的大眾型遊戲已經不再適合用來測試旗艦手機的極限水準。
因而，此番為了“榨乾”小米11 Ultra的性能釋放和散熱能力，Androidに接続するために1つを選択しましょう、iOSとPCのオープンワールドゲーム「Genshin Impact」をテストする，このゲームがどれほど「破壊」されているかについては、「Genshin Impact」の以前の4つのフラッグシッププラットフォームを確認して理解できます。。
次のテストの中で，我們為小米11 Ultra調低至50%亮度、FHD分辨率、60FPS選項打開、静かに使用してください、画質は「非常に高品質」です，動的なぼかしをオフにします，室温はテスト中に約25℃でした。
從我們對小米11 Ultra的幀數監測來看，其在一開始的戰斗場景幀率波動較為頻繁，其它場景下基本上能夠保持長時間滿幀，10分鐘的遊戲測試之後，平均幀率能夠達到56.5幀，該機是筆者目前所測試的安卓手機當中幀數表現最佳的機型。
測試過程當中，我們還對CPU溫度和機身溫度進行了監測：10分鐘的遊戲過後CPU溫度最高可以達到52℃；遊戲前機身背部最高溫度為32.5℃，10分鐘遊戲後機身背部最高溫度升至42.6℃，升溫10.1℃。
結合極限水準的幀數表現來看，小米11 Ultra的散熱效果相當顯著。這是因為小米11 Ultra在散熱方面做了相當大幅度的升級——採用固液氣相變散熱系統，大面積VC 均熱板+石墨+銅箔覆蓋SoC、電源管理芯片等主要發熱區域的傳統方案基礎上，還將SoC區域的導熱凝膠升級為相變導熱墊包裹SoC將熱量導出。
相變導熱墊採用的是一種陶瓷導熱粉+高分子聚烯烴組成的高分子材料，當處理器工作時，相變散熱墊吸熱液化，將SoC的熱量傳導至固態相變導熱墊後，相變材料吸收液化為微
顆粒包SoC，將熱量高效導出至VC，經由VC內部的氣液相變將熱量快速從熱區導出至冷區。
