Redmi K50冠軍版硬體效能、遊戲效能評測
Leistung：安兔兔跑分穩定破百萬 溫控調度較為嚴格
說起性能，驍龍8我們現在已經再熟悉不過。 升級了全新架構，並且採用最新的4nm工藝的它，其實性能表現用一句話就能總結，CPU性能小提升，GPU性能大進步。
而要說驍龍8的實際表現，大家都能想到一個字，那就是熱。 想要讓驍龍8的性能完美發揮，強勁的散熱配置必不可少。 而本次的Redmi K50電競版，就搭載了一套目前手機端堪稱最強被動散熱的多維立體散熱系統，足以馴服驍龍。
由於手機普遍採用的都是被動式散熱，因此如果散熱性能優異，那麼背面的溫度一定會迅速且均勻的升高，但無休止的升高只會燙傷使用者，所以如何調度保持性能和發熱的均衡，才是關鍵。
Erste，我們先來測試下Redmi K50電競版的跑分情況。 跑分測試往往負載較高，代表著一款手機的極限性能水準。 以下測試環境均為常溫被動散熱。
Erste，我們就從CPU測試開始。
1、Geekbench 5
Redmi K50電競版的CPU性能釋放非常出色。 單核分數可以達到1219分，多核更是可以達到3653分，基本上是驍龍8的常規性能水準。
橫向對比，Redmi K50電競版的分數略高於之前測試的小米12 Pro，更好的散熱配置確實帶來了一定的提升。
2、GFXbench
GFXbench跑分方面，Redmi K50電競版也是穩定發揮。 GPU性能相較於上一代提升明顯，甚至有直追A15殘血版的能力。
從跑分結果來看，Redmi K50電競版的溫控十分嚴格，溫度稍高就會降頻控溫，所以常規的GFXbench六項測試的最後一項1080P霸王龍離屏受溫度的影響，明顯分數要偏低一些。 如果單獨跑分，分數則會是正常的435 FPS。
3、Androbench
在I/O性能方面，Redmi K50電競版搭載的是升級版的UFS 3.1晶元，持續讀取速度可以達到1895 MB/s，得益於文件系統的改進，順序寫入速度更高了，可以達到1436 MB/s。
zudem，我們還順便用安兔兔和魯大師進行了綜合性能測試，方便普通使用者直觀地瞭解它的性能水準。
安兔兔測試綜合得分為100.1萬分，雖然控溫較為嚴格，但是Redmi K50電競版也成功進入了百萬俱樂部，沒有給驍龍8旗艦拖後腿。
魯大師綜合性能測試得分106.8萬分，跑分超過99%的使用者，在性能榜排行第三。
Im Algemeinen，Redmi K50電競版所搭載的驍龍8的性能水準，符合我們對於這顆晶元的一貫印象。 GPU性能更為突出，CPU性能則是略有提升。
不同的是，Redmi K50電競版的溫控更為嚴格，所以極限跑分很容易因為溫控受到影響。 不過這也並非壞事，日常遊戲的負載不同於極限跑分，這樣的溫控策略下實際遊戲的表現反倒會更加出色。
Spieltests：《原神》高畫質幀率高達57FPS 溫度穩控40°C左右
我們挑選了三款主流手游進行了測試，來觀察一下Redmi K50電競版的流暢度及發熱如何。
——《王者榮耀》
《王者榮耀》在Redmi K50電競版上支援120幀模式，所以我們直接將所有畫面設置拉滿進行測試。
遊戲全程，幀率穩定在120幀左右，平均幀率達到了117.9 FPS，最低也不過97 FPS。
《王者榮耀》測試完全程，手機背面的溫度最高為40.4°C，位置在後攝旁的SOC處。 上邊框略低一些，達到了38.7°C。 Redmi K50電競版的發熱點基本就只有這兩處。
——Friedenselite
《和平精英》只允許在流暢畫質下開啟90幀的高刷模式，所以從畫面設置來看，它的負載並不高，遠不如120幀《王者榮耀》吃性能。
實際測試幀率，《和平精英》的運行非常穩定，平均幀率達到了89.8 FPS，最低幀率83 FPS。
背面溫度方面，《和平精英》的測試時間更長，不過最高點溫度也控制在了40.9°c左右。 能明顯感覺到熱，但談不上燙手。
—— Genshin
在目前的主流手游中，《原神》幾乎是性能大魔王一般的存在，它對於安卓手機的性能要求較高，並且會帶來不小的發熱。
Vor，不少手機都必須限制幀率才能保證《原神》的流暢運行。而到了驍龍8這一代，我們終於得以挑戰60幀。首先進入畫面設置，選擇預設的極高，並且調整幀率為60。
按照既定的測試路線，使用Redmi K50電競版測試幀率，全程平均幀率在57.7 FPS左右。
前半段，幀率波動較大，此時最大幀率仍為60 FPS。 後半段，隨著溫度壓力的升高，Redmi K50電競版進行了鎖幀，這部分的最高幀率僅有58 FPS，此時看起來變化更小，幀率更為平穩。
測試過程中，Redmi K50電競版的核心溫度最高達到了68.8°C，除了遊戲負載變化外，手機自身也會通過鎖幀等軟手段降低負載來調整溫度。
《原神》的負載極高，不過測試完成後機身背面的溫度並沒有高太多。 在完整的進行了負載測試后，42.2°C的溫度可以接受，僅僅是略熱的水準，上邊框也較熱，不過溫度比SOC部位低2°C，僅有40.3°C。
控溫和流暢是互斥的兩極，而通過測試來看，Redmi K50電競版在這兩個方向上取得了均衡。
在同樣的遊戲流暢度下，控溫上比我們見過的幾款常規旗艦都要更為出色。 不藉助額外的散熱配件，也沒有補幀等小手段，僅憑堆散熱加性能調度，就保證了多款遊戲的流暢運行和低溫的手感舒適。 在當下遊戲旗艦紛紛彪高溫，離開半導體製冷散熱就用不了的大環境下，這樣的表現已經十分優秀。
zudem，別忘了它還有方便好用的磁動力肩鍵，從打遊戲的角度來說，它不僅低溫還流暢，在體驗上也比那些必須外掛一堆”外設”的手機要優秀的多。
充電及續航：17分鐘既滿血 長時間穩定高功率
Redmi K50電競版的充電提升可謂巨大，這次直接升級到了滿血的120W超級閃充。 搭載4700mAh的電池，只需要17分鐘即可充滿。
充電過程中的大部分時間都維持在極高的功率，前10分鐘功率都在60W以上，從10分鐘以後開始，逐漸階梯降低，最後電量達到100%前夕仍有10W左右。
得益於分離式IC的設計，Redmi K50電競版做到了充電遊戲兩不誤。 它的亮屏充電速度極快，僅需要30多分鐘即可充滿。 wichtiger，在邊玩邊充的過程中，充電IC和SOC的溫度不會互相影響，拖累對方。
其實在充電過程中，IC晶元的升溫也並不高，我們選擇在電量達到70%前後的高功率快充時間點測量溫度，IC部分僅有38.2°C，所以邊玩邊充時也不會有強烈的燙手感。
Lebensdauer der Batterie，50%Helligkeit，1/3音量下，使用電池狗狗APP不間斷的運行3D遊戲、Video、網頁瀏覽等場景測試續航，消耗75%的電量用時7小時08分鐘，預計整體綜合續航在9小時以上，符合4700mAh的續航表現。