IBM宣佈製造出全球首顆2nm EUV晶片:能耗减少75%

5月6日,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。IBM表示,在同样的电力消耗下,2nm EUV芯片的性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。

核心指標方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆晶體管)為333.33,幾乎是台積電5nm的兩倍,也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。

換言之,在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內,就能容納500億顆晶體管。同時,IBM表示,在同樣的電力消耗下,其性能比當前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。

實際上,IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商,在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。

2nm EUV

回到此次的2nm上,採用的是GAA(環繞柵極晶體管)技術,三層。IBM介紹,這是第一次使用底介電隔離通道,它可以實現12 nm的柵長,其內部間隔是第二代干法設計,有助於納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。

需要注意的是,IBM並沒有自己的晶圓廠,2014年其製造工廠賣給了格芯,但兩者簽署了10年合作協議,另外,IBM也和三星、Intel保持合作。

關於GAA晶體管技術,三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。

2nm EUV

消息來源:IBM

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